股权投后|泰科天润的碳化硅迎来政策红利
时间:2021-03-25 00:00:00



碳化硅写入“十四五规划”

       2021年3月13日,新华网刊登了《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》,其中“集成电路”领域,特别提出碳化硅、氮化镓等半导体材料将迎来青睐。这说明第三代半导体材料的重要程度已经上升到了国家的层面。相信在国家的助推下,国内将迅速形成适合第三代半导体发展的环境,未来前景十分值得期待。

       碳化硅(SiC)是碳和硅的化合物,碳化硅单晶材料目前采用物理气相输运(PVT)法,在超过2000℃的高温下,将碳粉和硅粉通过高温分解成原子,通过温度控制沉积在碳化硅籽晶上形成碳化硅晶体。

       作为第三代半导体材料,碳化硅(SiC)与硅(Si)相比,介电击穿强度更大、饱和电子漂移速度更快且热导率更高。因此,当用于半导体器件中时,碳化硅器件拥有高耐压、高速开关、低导通电阻、高效率等特性,有助于降低能耗和缩小系统尺寸。

       碳化硅可以广泛应用于电动汽车、逆变器、轨道交通、太阳能、风力发电、消费类电源等领域。近年来,随着快充技术的普及和氮化镓技术的成熟,大功率快充电源市场逐渐兴起,碳化硅二极管也开始在消费类电源市场中崭露头角,进入了多款百瓦级大功率快充供应链,助力快充电源实现更高的效率和更小的体积。碳化硅在消费类电源领域的关注度越来越高,并逐渐成为了大功率快充产品的核心竞争力。

       在传统的快充电源中,尤其是百瓦级大功率快充,效率一直都是电源工程师亟待解决的问题;而为了实现产品可靠性,多数充电器不得不牺牲体积,加入大面积散热片。这也让产品变得十分笨重,用户体验并不完美;直至第三代半导体在消费类电源领域正式商用,这一情况才得以缓解。

       在百瓦大功率快充产品中,碳化硅和氮化镓可谓是最佳拍档,二者搭配用于电源前级升压和整流,相对于传统硅器件,不仅效率提升能得到立杆剪影的效果,而且可以利用其高频特性缩小升压电感体积,从而提高产品整体的功率密度。

       随着大功率设备数量的不断增加,市场对小体积、大功率多口快充的需求也愈发强烈。一方面促进电源架构从常规的向高性能转型,另一方面也加深了快充电源对第三代半导体的依赖,碳化硅在消费类电源领域的应用前景更为广阔。

       作为第三代半导体的重要分支,碳化硅在此之前已经在多家厂商中投产,而本次国家将第三代半导体列入“十四五规划”,这对于碳化硅的发展来说更是一次难得的时代机遇。



碳化硅供应商


       目前市面上可用于大功率快充电源领域的碳化硅有三大供应商,分别是APS飞锃半导体、BASiC Semiconductor 基本半导体、Global Power泰科天润


       北京泰科天润半导体科技有限公司是中国碳化硅(SiC)功率器件产业化的倡导者之一。泰科天润致力于中国半导体功率器件制造产业的发展,并向全球功率器件消费者提供优质的半导体功率器件产品和专业服务。

       泰科天润在北京拥有一座完整的半导体工艺晶圆厂,并在湖南浏阳建成6英寸碳化硅功率芯片生产线,可在4/6英寸SiC晶圆上实现半导体功率器件的制造工艺。作为国内碳化硅研发生产和平台服务型公司,泰科天润的产品线涉及基础核心技术产品、碳化硅成型产品以及多套行业解决方案。

       目前泰科天润的碳化硅器件650V/2A-100A、1200V/2A-50A、1700V/5A -50A、3300V/0.6A-50A等系列的产品已经投入批量生产,并推出了两款快充PFC电路专用的碳化硅二极管,产品质量完全可以比肩国际同行业的先进水平。泰科天润通过与产业同行、科研院所、国内外专家共同探索与开发,正在将SiC功率器件推广到更多更广的应用领域。

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